Fokus auf Power Embedding Bessere Effizienz in Hochleistungssystemen

Schukat stellt dieses Jahr zusammen mit Taiwan Semiconductor auf der PCIM aus.

Bild: Schukat
10.05.2024

Schukat, Distributor für elektronische Bauteile und Taiwan Semiconductor (TSC) blicken in diesem Jahr auf eine sehr erfolgreiche, 20-jährige Partnerschaft zurück. Im Zuge dieser Zusammenarbeit stellen die beiden Unternehmen gemeinsam vom 11. bis 13. Juni 2024 auf der international führenden Fachmesse und Fachkonferenz für Leistungselektronik aus. Der Fokus der diesjährigen PCIM liegt im Bereich neue Materialien für zukünftige Modultechnologie und „Power Embedding“. Schukat präsentiert dem Fachpublikum unter anderem TSCs erste Wide-Bandgap SiC 650 V Schottky- Diode für eine noch bessere Effizienz in Hochleistungssystemen.

Die 650 V SiC-Schottky Dioden eignen sich dank geringer Schaltverluste besonders für hocheffiziente AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Anwendungen. Die halogenfreien und RoHs-konformen Bauteile ermöglichen dank geringer kapazitiver Ladung deutlich höhere Schaltfrequenzen bei geringeren Schaltverlusten und arbeiten zuverlässig bei Sperrschichttemperaturen von bis zu 175 °C. Sie sind prädestiniert für Anwendungen in USV-Anlagen, Solar-Wechselrichtern oder Rechenzentren.

Ein besonders leistungsstarkes Highlight bilden die neuen 650 V GaN-Transistoren / E-HEMT (Enhancement-mode High Electron Mobility Transistors) von TSC. Diese Produktfamilie erfüllt die Anforderungen von Hochleistungssystemen wie höhere Betriebsströme und Wirkungsgrade, überzeugt dabei aber mit geringeren Abmessungen.

Geringere Gate-Charge

Die Komponenten ermöglichen im Vergleich zu SiC-MOSFETs eine geringere Gate-Charge (QG), eine niedrigere Gate-Spannung (VG)und höhere Schaltgeschwindigkeiten. Sie werden in thermisch effizienten PDFN-Gehäusen angeboten.

Zusätzlich stellt Schukat die vierte Generation von 600 V-Super-Junction-MOSFETs der NE-Serie von TSC vor. Die auf möglichst niedrigen RDSon bei minimalen Gate-Kapazitäten optimierten Komponenten wurden für hohe Wirkungsgrade und Leistungsdichten konzipiert.

Die Bauteile erreichen eine dreißigprozentige Verbesserung der Figure-of-Merit (FOM) und finden vor allem in Applikationen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen oder Hochvolt-Motorradantrieben Verwendung.

Muster der neuen Leistungselektronik von TSC sind bereits jetzt auf Anfrage erhältlich.

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