Die 650 V SiC-Schottky Dioden eignen sich dank geringer Schaltverluste besonders für hocheffiziente AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Anwendungen. Die halogenfreien und RoHs-konformen Bauteile ermöglichen dank geringer kapazitiver Ladung deutlich höhere Schaltfrequenzen bei geringeren Schaltverlusten und arbeiten zuverlässig bei Sperrschichttemperaturen von bis zu 175 °C. Sie sind prädestiniert für Anwendungen in USV-Anlagen, Solar-Wechselrichtern oder Rechenzentren.
Ein besonders leistungsstarkes Highlight bilden die neuen 650 V GaN-Transistoren / E-HEMT (Enhancement-mode High Electron Mobility Transistors) von TSC. Diese Produktfamilie erfüllt die Anforderungen von Hochleistungssystemen wie höhere Betriebsströme und Wirkungsgrade, überzeugt dabei aber mit geringeren Abmessungen.
Geringere Gate-Charge
Die Komponenten ermöglichen im Vergleich zu SiC-MOSFETs eine geringere Gate-Charge (QG), eine niedrigere Gate-Spannung (VG)und höhere Schaltgeschwindigkeiten. Sie werden in thermisch effizienten PDFN-Gehäusen angeboten.
Zusätzlich stellt Schukat die vierte Generation von 600 V-Super-Junction-MOSFETs der NE-Serie von TSC vor. Die auf möglichst niedrigen RDSon bei minimalen Gate-Kapazitäten optimierten Komponenten wurden für hohe Wirkungsgrade und Leistungsdichten konzipiert.
Die Bauteile erreichen eine dreißigprozentige Verbesserung der Figure-of-Merit (FOM) und finden vor allem in Applikationen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen oder Hochvolt-Motorradantrieben Verwendung.
Muster der neuen Leistungselektronik von TSC sind bereits jetzt auf Anfrage erhältlich.
