Satellitensysteme werden immer komplexer, um dem wachsenden Bedarf an Verarbeitungs- und Datenübertragungs-Funktionen, höher auflösenden Bildern und immer präziserer Sensorik in der Erdumlaufbahn gerecht zu werden. Um die Fähigkeiten der Missionen zu erweitern, sind die Entwickler bestrebt, den Wirkungsgrad der Stromversorgungs-Systeme zu maximieren. Die neuen Gatetreiber von TI sind dafür konzipiert, GaN-FETs präzise und mit kurzen Anstiegs- und Abfallzeiten anzusteuern, wodurch sich der Platzbedarf und die Leistungsdichte der Stromversorgungen verbessert. Satelliten können dadurch die von ihren Solarzellen erzeugte Energie effektiver nutzen, um die Funktionen ihrer Mission auszuführen.
„Satelliten erfüllen kritische Aufgaben, die von der weltweiten Bereitstellung von Internetzugängen bis zur Überwachung des Klimas und von Transportaktivitäten reicht und es den Menschen ermöglicht, die Welt besser zu verstehen und sich in ihr zurechtzufinden“, kommentiert Javier Valle, Product Line Manager, Space Power Products bei TI. „Unser neues Portfolio befähigt Satelliten in niedrigen, mittleren und geostationären Erdumlaufbahnen dazu, über längere Zeit unter den rauen Bedingungen des Weltraums zu operieren und dabei ein hohes Maß an Energieeffizienz zu erreichen.“
Weitere Einzelheiten
Die Optimierung des SWaP-Profils (Size, Weight and Power) mithilfe der GaN-Technologie eröffnet folgende Möglichkeiten:
Leistungssteigerung der elektrischen Systeme
Verbesserung der Missionslebensdauern
Masse- und Volumenreduzierung der Satelliten
Minimierung des Wärmemanagement-Aufwands
Die Bausteinfamilie kann für Anwendungen im gesamten Stromversorgungssystem genutzt werden:
Der 200 V-GaN-FET-Gatetreiber eignet sich für Antriebssysteme und die eingangsseitige Leistungswandlung in Solarpanels.
Die für 60 V und 22 V ausgelegten Versionen sind für Verteilungs- und Umwandlungsaufgaben im gesamten Satelliten konzipiert.
Die Familie der weltraumtauglichen GaN-FET-Gatetreiber von TI ist für die drei Betriebsspannungen und mit verschiedenen weltraum-zertifizierten Gehäuseoptionen verfügbar:
Strahlungsfest: Qualified Manufacturers List (QML) Class P und QML Class V in Kunststoff- beziehungsweise Keramikgehäusen.
Als strahlungstolerante SEP-Produkte (Space Enhanced Plastic).
Verfügbarkeit
Produktionsstückzahlen der Bausteine TPS7H6003-SP, TPS7H6013-SP, TPS7H6023-SP und TPS7H6005-SEP sind jetzt bei Texas Instruments verfügbar. Lieferbar sind auch Vorproduktions-Stückzahlen des TPS7H6015-SEP und des TPS7H6025-SEP, während die Bausteine TPS7H6005-SP, TPS7H6015-SP und TPS7H6025-SP ab Juni 2025 erworben werden können. Das Angebot an Entwicklungsressourcen umfasst Evaluierungsmodule für alle neun Bausteine sowie Referenzdesigns und Simulationsmodelle.
